Des scientifiques japonais ont trouvé une technique pour améliorer la durée de vie des supports de mémoire Flash, la faisant passer d’une dizaine à une centaine d’années. Cette nouvelle technologie NAND Flash ferro-électrique permet des réécritures de 100 millions de fois, contre 10’000 environ avec les technologies actuelles, tout en réduisant les distances à 10 nanomètres, le tiers de la mémoire Flash conventionnelle. La nouvelle technologie s’accompagne de « wear leveling » afin de préserver la durée de vie des cellules Flash, tout en permettant de désactiver les cellules mortes sans affecter le module mémoire.
De plus, un voltage de 6 volts seulement contre les 20+ volts actuels est nécessaire pour les opérations d’écriture. La technologie nous promet donc de futurs SSD à longue durée de vie et à basse consommation. Evidemment, comme avec toute avancée, il faudra un moment avant que des produits commerciaux employant cette technologie voient le jour. [VNUNet - The INQUIRER en français]